疫情沖擊 三星全新GAE技術(shù)3nm工藝被曝延期1年
近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱,三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。三星原計(jì)劃2021年初量產(chǎn)3nm,但受疫情影響,三星預(yù)期時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年,業(yè)內(nèi)消息人士指出,這并非工藝制造上的延遲,而是因?yàn)镋UV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝,將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,比7nm工藝,3nm GA
2020-04-07 08:39:54
來源:快科技??

近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱,三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。

三星原計(jì)劃2021年初量產(chǎn)3nm,但受疫情影響,三星預(yù)期時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年,業(yè)內(nèi)消息人士指出,這并非工藝制造上的延遲,而是因?yàn)镋UV光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。

三星早在去年就宣布了3nm GAE工藝,將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET晶體管,轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,比7nm工藝,3nm GAE工藝號(hào)稱可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

而三星最大對(duì)手臺(tái)積電也因?yàn)橐咔樵虬雽?dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成,原計(jì)劃在6月份風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的3nm FinFET工藝,試產(chǎn)時(shí)間將延期到10月份。

相應(yīng)地,臺(tái)積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會(huì)順延一個(gè)季度,原本在10月份安裝設(shè)備,現(xiàn)在也要到2021年初了。

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