【釘科技訊】此前，eMMC閃存標準占據(jù)著絕大多數(shù)的手機、平板等內(nèi)嵌式存儲器市場，從eMMC 4.3時代發(fā)展到最新的eMMC 5.0標準，內(nèi)嵌式閃傳性能有了很大的提高。不過，從去年3月份UFS 2.0閃存標準公布以來，憑借超高速的讀寫，大有取代eMMC的趨勢。最新發(fā)布的旗艦機型小米5，一加3和樂視Max2等機型，均采用了UFS 2.0閃存技術(shù)。面對這一趨勢，三星首先將UFS 2.0標準應(yīng)用在了內(nèi)存卡上。

據(jù)最新消息，三星領(lǐng)先業(yè)界發(fā)布了一系列不同容量版本的UFS內(nèi)存卡，雖然和microSD卡長得差不多，但無論是連續(xù)讀寫還是隨機讀寫，據(jù)三星介紹都和microSD卡不是一個數(shù)量級的。此外，由于UFS卡的金手指觸點和傳統(tǒng)microSD卡完全不同，因此將無法兼容。

三星表示，256GB版本的UFS內(nèi)存卡連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的速度可以達到530M/s，連續(xù)寫入數(shù)據(jù)的速度可以達到170M/s，分別是EVO+ microSD卡讀取速的5倍，寫入速度的2-3倍。同樣是三星發(fā)布的EVO+此前號稱是最快的microSD卡，宣傳的讀取速度是100M/s，寫入速度50M/s（但經(jīng)一些科技媒體實測讀取速度只有80M/s，寫入速度是20M/s）。

隨機讀寫方面，三星表示256GB版本的UFS卡將達到40,000 IOPS（每秒輸出/輸出操作次數(shù)）的隨機讀取速率，這一數(shù)字是傳統(tǒng)microSD卡的20倍；35,000 IOPS的隨機寫入速率，是傳統(tǒng)卡的350倍（小編再三確認，的確是350倍）。

雖然三星宣稱很快，不過，要看到UFS卡在實際應(yīng)用場景中的具體表現(xiàn)之后才能下結(jié)論。據(jù)稱，三星將很可能在即將發(fā)布的Galaxy Note 7上支持UFS標準的內(nèi)存卡擴展，讓我們拭目以待吧。

（來源：雷鋒網(wǎng)）