英特爾:下一代酷睿仍采用14nm工藝性能已等于三星10nm
根據(jù)英特爾在投資者會議上公開的PPT,其2014年研發(fā)出來的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及臺積電的10nm工藝看齊。 此外,根據(jù)英特爾高級院士Mark Bohr的說法,英特爾10nm工藝的柵極間距是54nm,是同時代10nm最強。 據(jù)悉,Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果傳言屬實,那么英特爾的10nm是否能夠?qū)巳呛团_積電的7nm工藝呢?
2017-02-13 09:30:25
來源:新浪科技??
作者:雷鋒網(wǎng)

雷鋒網(wǎng)(公眾號:雷鋒網(wǎng))消息:2月10日,英特爾在投資者會議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器,將于今年下半年亮相。遺憾的是,第8代酷睿處理器并沒有采用傳聞中的10nm工藝,而是依舊沿用14nm工藝,英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝,但是英特爾表示,第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。

據(jù)悉,數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾表示,搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會在今年底出貨。

雖然三星、臺積電都已經(jīng)研發(fā)出14nm工藝,并且成功量產(chǎn)。但是英特爾表示自己的14nm工藝和競爭對手的10nm工藝同樣優(yōu)秀,領(lǐng)先對手整整三年。

根據(jù)英特爾在投資者會議上公開的PPT,其2014年研發(fā)出來的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及臺積電的10nm工藝看齊。

此外,根據(jù)英特爾高級院士Mark Bohr的說法,英特爾10nm工藝的柵極間距是54nm,是同時代10nm最強。

據(jù)悉,Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果傳言屬實,那么英特爾的10nm是否能夠?qū)巳呛团_積電的7nm工藝呢?

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