三星稱(chēng)，與第一代10nm工藝技術(shù)10LPE（低功耗早期）相比，10LPP工藝技術(shù)可使性能提高10%，功耗降低15%。由于該工藝源于已經(jīng)證實(shí)的10LPE技術(shù)，因此可大幅縮短從開(kāi)發(fā)到批量生產(chǎn)的周轉(zhuǎn)時(shí)間，并提供更高的初始生產(chǎn)良率，從而具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

位于位于韓國(guó)華城的三星電子的S3生產(chǎn)線

采用10LPP工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的SoC將用于計(jì)劃于明年年初推出的電子設(shè)備。三星電子代工市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Ryan Lee表示：“通過(guò)從10LPE向10LPP的過(guò)渡，我們將能夠更好地為客戶(hù)提供服務(wù)，同時(shí)提高性能，提高初始產(chǎn)量。”

三星電子還宣布，位于韓國(guó)華城的最新生產(chǎn)線S3正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及以下工藝技術(shù)。S3是三星代工業(yè)務(wù)的第三家晶圓廠，其它兩家分別是位于韓國(guó)Giheung的S1和位于美國(guó)奧斯汀的S2。三星的7nm FinFET工藝技術(shù)與EUV（Extreme Ultra Violet）也將在S3大批量生產(chǎn)。

晶圓