在近日舉行的IEEE國際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電（TSMC）詳細(xì)介紹了其備受矚目的下一代工藝節(jié)點(diǎn)N3P和N2，特別是2nm N2技術(shù)的更多細(xì)節(jié)，揭示了該技術(shù)在性能和效率方面的顯著提升。

臺(tái)積電的2nm工藝，被業(yè)界寄予厚望，預(yù)計(jì)將在2025年下半年大規(guī)模生產(chǎn)。該工藝采用了全新的“N2 Nanosheet”技術(shù)，與上一代產(chǎn)品相比，性能提升了15%，功耗降低了30%，晶體管密度提高了1.15倍。這一突破得益于全能柵極（GAA）納米片晶體管和N2 NanoFlex技術(shù)的應(yīng)用，使得在最小面積內(nèi)能夠集成更多不同的邏輯單元，從而優(yōu)化了節(jié)點(diǎn)性能。

臺(tái)積電通過從傳統(tǒng)的FinFET技術(shù)轉(zhuǎn)向?qū)Ｓ玫腘2“納米片”技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對電流流動(dòng)的更精確控制。這種納米片結(jié)構(gòu)由一疊狹窄的硅帶組成，每個(gè)硅帶都被一個(gè)柵極包圍，與FinFET相比，提供了更精細(xì)的控制能力。

這一技術(shù)進(jìn)步不僅為臺(tái)積電帶來了功能上的小幅提升，尤其是在與3nm及其衍生產(chǎn)品進(jìn)行比較時(shí)，更是引起了行業(yè)巨頭如Apple和NVIDIA的大規(guī)模采用。然而，隨著技術(shù)的升級，2nm工藝的晶圓價(jià)格也將同步上漲，成本比3nm高出10%以上。據(jù)悉，N2晶圓的價(jià)格可能在每片25,000美元至30,000美元之間，而3nm晶圓的價(jià)格大約在20,000美元左右。

盡管初始良率和試生產(chǎn)可能會(huì)限制最終生產(chǎn)的規(guī)模，導(dǎo)致該技術(shù)的采用在初期階段較為緩慢，但臺(tái)積電的2nm工藝無疑為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的發(fā)展機(jī)遇，預(yù)示著未來電子產(chǎn)品在性能和能效方面的巨大飛躍。